国家知识产权局信息数据显现，杭州镓仁半导体有限公司获得一项名为“一种氧化镓晶体生长炉的热场结构”的专利，授权公告号CN223723271U，请求日期为2025年2月。
专利摘要显现，本实用新型公开了一种氧化镓晶体生长炉的热场结构，触及晶体生长技术领域，包含：晶体生长炉，晶体生长炉的底端设置有与炉腔相通的竖直通道孔；硅钼棒加热器，硅钼棒加热器设置在炉腔内；坩埚，坩埚可以穿过竖直通道孔进入炉腔内；升降驱动组织，升降驱动组织用于驱动坩埚经过竖直通道孔进入炉腔内或经过竖直通道孔脱离炉腔；保温元件，保温元件包含保温隔板和保温柱。坩埚撤离炉腔后，保温隔板可以隐瞒竖直通道孔的顶端，一方面大大下降坩埚和晶体温度，并进步晶体的质量；另一方面可以有很大作用防备炉腔内热量经过竖直通道孔流失，使炉内温度更安稳，保持硅钼棒加热器在出料阶段的温度然后防止其因温度下降至冷脆状况而开裂。
天眼查资料显现，杭州镓仁半导体有限公司，成立于2022年，坐落杭州市，是一家以从事计算机、通讯和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本176.9409万人民币。经过天眼查大数据分析，杭州镓仁半导体有限公司参加招投标项目12次，产业线条，此外企业还具有行政许可3个。
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